光電式傳感器
光電式傳感器的知識，不知道大家是否有了解呢？傳感器的認識相信大家一定不會陌生了。光電式傳感器的光電效應是怎樣的呢？以下，小編將與大家分享光電式傳感器的光電效應相關方面知識。
它是光照射到某些物質上，使該物質的導電特性發(fā)生變化的一種物理現(xiàn)象，可分為外光電效應和內光電效應和光生伏te效應三類。外光電效應是指，在光線作用下物體內的電子逸出物體表面向外發(fā)射的物理現(xiàn)象。光子是以量子化 粒子 的形式對可見光波段內電磁波的描述。光子具有能量hv，h為普朗克常數(shù)，v為光頻。光子通量則相應于光強。外光電效應由愛因斯坦光電效應方程描述：
Ek =h -W
其中，h表示普朗克常量， 表示入射光的頻率）。當光子能量等于或大于逸出功時才能產(chǎn)生外光電效應。因此每一種物體都有一個對應于光電效應的光頻閾值，稱為紅限頻率。
對于紅限頻率以上的入射光，外生光電流與光強成正比。內光電效應又分為光電導效應和光生伏te效應兩類。光電導效應是指，半導體材料在光照下禁帶中的電子受到能量不低于禁帶寬度的光子的激發(fā)而躍遷到導帶，從而增加電導率的現(xiàn)象。能量對應于禁帶寬度的光子的波長稱光電導效應的臨界波長。光生伏打效應是指光線作用能使半導體材料產(chǎn)生一定方向電動勢的現(xiàn)象。

光電式傳感器
光生伏打效應又可分為勢壘效應（結光電效應）和側向光電效應。勢壘效應的機理是在金屬和半導體的接觸區(qū)(或在PN結)中，電子受光子的激發(fā)脫離勢壘（或禁帶）的束縛而產(chǎn)生電子空穴對，在阻擋層內電場的作用下電子移向 N區(qū)外側，空穴移向 P區(qū)外側，形成光生電動勢。側向光電效應是當光電器件敏感面受光照不均勻時，受光激發(fā)而產(chǎn)生的電子空穴對的濃度也不均勻，電子向未被照射部分擴散，引起光照部分帶正電、未被光照部分帶負電的一種現(xiàn)象。
外光電效應
光子，光子能量；光電子
外光電效應是指在光線作用下，物體內的電子逸出物體表面向外發(fā)射的現(xiàn)象。
內光電效應
在光線作用下，物體的導電性能發(fā)生變化或產(chǎn)生光生電動勢的效應
光電導效應：光敏電阻、光敏二極管（晶體管）
光生伏te效應：光電池
總而言之，光電式傳感器的光電效應主要有外光電效應和內光電效應，本文內容也為大家詳細的介紹了光電式傳感器的光電效應知識，希望本文能對大家的工作有一定的指導作用。